半导体烧结石墨治具表面改性处理工艺
石墨自身多孔、易氧化、掉粉,半导体烧结工况下简单掉屑污染芯片、高温损耗快。表面改性首要分为浸渍封闭孔隙、陶瓷涂层、钝化处理三大类,不同工艺适配不同烧结场景。
1、浸渍处理(孔隙封闭类)
原理:将浸渍剂进入石墨表层微孔,封堵孔隙,减少掉粉、下降释气,不改动外形尺度。
1. 树脂浸渍
把石墨治具真空加压浸入耐高温树脂,固化后封闭表面气孔。
利益:本钱适中,大幅减少石墨掉粉碎屑,改进洁净度;
约束:运用温度不能过高,一般<400‑500℃,高温会分化碳化;
适用:低温退火、回流、非高温烧结半导体治具。
2. 沥青浸渍
真空浸渍沥青,再高温碳化,在孔隙内部构成碳膜。
利益:耐温高,和基体相容性好,不掉粉,进步表面细密性;
约束:处理后会有少数挥发物,需要预先烘炉除气;
适用:中高温真空烧结、分立器件玻封治具。
浸渍工艺不能进步抗氧化才干,高温有氧环境仍然会氧化耗费。
2、陶瓷涂层工艺(最常用高端改性)
在石墨表面生成一层细密陶瓷防护膜,阻隔气氛,抗氧化、抗粘、抗金属浸润。
1. SiC‑碳化硅涂层(半导体烧结干流)
制备方法:CVD化学气相堆积为主。
特色:耐高温、抗氧化,硬度高,抗金属、玻璃粘模,极低释气;
优势:明显进步治具运用寿数,减少工件粘模污染;
约束:本钱高,尖利边角涂层简单磕碰脱落;
适用:SiC/GaN功率芯片共晶烧结、车规器件、TO玻封、高反复循环出产工况。
